引言

CMOS芯片作為半導體器件的核心組成部分，共面度精度直接決定封裝可靠性與信號傳輸穩定性，共面度不良會導致芯片與基板貼合不嚴、引腳接觸不良，進而引發電路故障。當前，CMOS芯片朝著微型化、高密度方向發展，共面度測量需兼顧微觀精度與大范圍檢測，傳統測量技術普遍存在對焦偏移、景深不足等問題，無法精準捕捉微小共面度偏差，因此，采用白光干涉技術構建共面度測量方案，是解決對焦偏移、景深不足，實現CMOS芯片共面度精準檢測的關鍵。

CMOS芯片共面度不良的危害及測量難點

CMOS芯片共面度不良主要表現為芯片表面起伏、引腳高度偏差，會導致封裝過程中應力分布不均，引發芯片開裂、引腳脫落，影響器件使用壽命；同時，共面度偏差會造成信號傳輸延遲、接觸不良，導致芯片功能失效。此外，CMOS芯片尺寸微小、表面結構復雜，共面度測量需同時檢測芯片表面與引腳的高度差，傳統測量技術易出現對焦偏移，無法精準對準測量靶點，且景深不足，難以兼顧芯片表面整體與局部的測量需求，導致測量精度偏低、數據偏差較大。

實踐表明，CMOS芯片共面度僅0.3μm的偏差，就會導致引腳接觸不良概率提升50%，封裝合格率下降35%；而對焦偏移與景深不足會使測量誤差擴大40%以上，無法滿足芯片精密檢測需求。批量生產中，傳統測量效率低下，難以適配在線管控，易導致不合格產品流入下游，增加生產成本。

白光干涉測量方案及優勢

針對CMOS芯片共面度測量的難點及對焦偏移、景深不足問題，構建基于白光干涉技術的共面度精準測量方案。該方案利用白光干涉的高相干性，通過精準控制干涉條紋，有效解決對焦偏移問題，可精準對準芯片表面及引腳測量靶點；同時，優化光學系統設計，提升測量景深，實現芯片表面整體與局部微小區域的同步精準檢測，精準獲取共面度偏差、引腳高度差等關鍵參數。

該方案具備高精度、抗干擾、景深充足的核心優勢，測量精度達納米級，可有效避免對焦偏移導致的測量誤差，兼顧微型化CMOS芯片的全面檢測需求，檢測效率較傳統方法提升8倍以上，適配批量生產在線管控。通過該方案，可精準識別共面度不良隱患，從源頭提升CMOS芯片封裝質量，解決對焦偏移、景深不足的測量難題，為芯片生產質量管控提供可靠支撐。新啟航 專業提供綜合光學3D測量方案

多功能面型干涉儀——CMOS芯片精密測量解決方案

多功能面型干涉儀，以“分層掃描+200mm大視野+納米精度”為核心，單臺設備即可實現亞微級平面度、深孔臺階、陡峭錐面角度與3D輪廓的一站式精密測量，精準適配CMOS芯片全場景檢測需求，賦能半導體產業精密管控。

四大核心技術革新

一、大視野平面度測量，兼顧精度與效率

突破行業痛點，解決傳統白光干涉技術“小視場高精度、大視場精度不足”的難題，實現大視場下的亞微米級測量能力與納米級精度保障。設備可達到極致75nm平面度測量精度，單視場23mm一次成像，支持拼接擴展至200mm超大視場，高效適配CMOS芯片大視野形貌測量需求。

（圖示為CMOS感光芯片大視野形貌測量，清晰呈現芯片全域形貌，為芯片整體質量檢測提供支撐）

（圖示為實測COB感光芯片局部形變圖，精準捕捉芯片局部形變細節，助力芯片性能優化）

二、自動化批量測量，適配規模化需求

單幅視野可達23×18mm，支持最大200mm視野全自動跑點測量，大幅提升測量效率，適配CMOS芯片批量檢測場景。針對更大視野、更高要求的特殊應用場景，可提供專屬非標定制方案，滿足多樣化檢測需求。

三、上下平面平行度測量，突破檢測局限

采用獨特光路設計，可透過CG玻璃實現內部COB感光芯片形變測量，無需拆解樣品，避免對芯片造成損傷，精準獲取芯片內部形變數據，為芯片封裝及性能檢測提供可靠依據。

四、非標定制+動態測量，拓展應用邊界

支持非標定制方案，可在真空腔體內完成溫度變化過程中的ODS工作形變測量，實現實時動態3D形貌監控，適配CMOS芯片極端環境下的檢測需求，進一步拓展設備應用場景。

新啟航半導體，專業提供綜合光學3D測量解決方案，深耕CMOS芯片檢測領域，以核心技術賦能半導體產業高質量發展！